PD55025TR-E

PD55025TR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能射频功率晶体管，采用先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺制造。该器件专为高频、高效率的射频功率放大应用而设计，其核心架构优化了在高频段（如500MHz）下的功率处理能力与线性度。LDMOS技术提供了出色的功率密度和热稳定性，结合PowerSO-10RF封装，确保了器件在严苛工作条件下的可靠性和散热性能，裸露的底部焊盘设计进一步增强了热管理效率，使其能够稳定处理高达25W的输出功率。

在功能特性上，这款晶体管展现了卓越的射频性能。其增益达到14.5dB，这意味着在信号放大过程中能够提供显著的功率提升，同时保持较低的信号失真。额定工作电压为40V，测试电压为12.5V，额定电流为7A，这些参数共同支持了其强大的功率输出能力。器件在200mA的测试电流下进行特性验证，确保了在实际应用中的精确性能表现。其设计兼顾了高功率与高效率，适用于需要稳定、可靠射频放大的场景，并且通过ST一级代理进行供应链支持，保障了产品的可获得性和技术支持。

从接口和参数来看，PD55025TR-E采用PowerSO-10RF封装，带有2条成形引线，这种紧凑型封装不仅节省了电路板空间，还优化了高频信号的传输路径，减少了寄生效应。其频率覆盖至500MHz，适用于中高频段的射频系统。虽然噪声系数参数未在标准列表中提供，但LDMOS结构通常具备良好的线性特性，有助于在放大过程中维持信号质量。器件的“有源”状态表明它处于量产和持续供应阶段，适合用于新产品设计或现有系统升级。

在应用场景方面，PD55025TR-E非常适合用于专业通信设备、广播发射系统、工业射频加热以及医疗成像设备中的功率放大级。其高输出功率和增益特性使其能够驱动天线或其他负载，在无线基础设施、雷达模块和测试仪器中发挥关键作用。此外，良好的热性能和封装设计使其能在高环境温度下稳定运行，满足工业级应用的耐久性要求。总体而言，这款晶体管是工程师在构建高效、可靠射频功率解决方案时的优选组件。

• 型号:PD55025TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:25W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD55025TR-E是ST意法半导体生产的一款射频功率晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列，采用LDMOS技术，专为高性能射频放大设计。该器件提供25W的输出功率，工作频率达500MHz，增益为14.5dB，确保了高效的信号放大能力。

其额定电压为40V，测试电压12.5V，额定电流7A，支持稳定的高功率操作。封装采用PowerSO-10RF带裸露底部焊盘，优化散热和空间布局，适用于严苛环境。作为有源器件，它适用于通信和工业射频系统，提供可靠的功率处理性能。