PD84008-E

PD84008-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能射频功率晶体管，采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺技术制造。该器件专为在870MHz频段附近提供高功率、高效率的射频放大而设计，其核心架构优化了功率密度和线性度，能够在单电源电压下稳定工作，简化了外围电路设计。其内部结构针对射频功率应用进行了精心布局，有效降低了寄生参数，确保了在高频工作下的优异性能。

该器件在7.5V测试电压和250mA测试电流条件下，能够提供高达2W的射频输出功率，同时实现16.2dB的功率增益，这使其在驱动后级功率放大器或作为末级推动时表现出色。其额定工作电压高达25V，最大漏极电流可达7A，展现了强大的功率处理能力和较高的设计余量。高增益、高功率输出以及宽工作电压范围是其显著的功能特点。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，它曾是许多射频发射链路中的关键组件，其可靠性和性能得到了市场的广泛验证。对于仍有需求的客户，可以通过正规的ST一级代理渠道咨询库存或替代方案。

PD84008-E采用PowerSO-10RF封装，并带有裸露的底部焊盘，这种封装形式不仅提供了良好的机械强度，其裸露焊盘设计更有利于将器件工作时产生的热量高效地传导至PCB和散热器，确保其在满功率输出时的长期热稳定性。两条成形引线的设计也便于PCB布局和焊接工艺的实施。其接口定义清晰，主要包含栅极、漏极和源极引脚，应用时需遵循典型射频功率放大器的匹配和偏置电路设计原则。

在应用场景方面，这款晶体管主要面向需要中等功率输出的专业射频设备。它非常适合用于870MHz频段的无线通信系统，例如专业的移动无线电（PMR）、专用移动无线电（SMR）的发射机前级或驱动级，也可应用于某些工业、科学和医疗（ISM）频段设备中的功率放大模块。其稳定的性能使其在要求可靠性和一致性的基站辅助设备、中继器以及特定的射频测试设备中占有一席之地。

• 型号:PD84008-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16.2dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD84008-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率场效应晶体管（FET），专为870MHz频段的高性能放大应用而优化。该器件在7.5V/250mA的测试条件下，可提供2W的输出功率和16.2dB的高增益，具备出色的功率驱动能力。

其采用PowerSO-10RF封装，带有裸露焊盘以增强散热，额定电压和电流分别达到25V和7A，确保了设计的宽裕度和可靠性。这款晶体管主要适用于专业移动通信、中继器等需要稳定中等功率输出的射频发射链路。