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SMBJ130A-TR

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 130VWM 209VC SMB
原厂封装:封装:SMB
优势价格,SMBJ130A-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SMBJ130A-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SMBJ130A-TR是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计和生产的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,隶属于其广受认可的TRANSIL系列。该器件采用成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理作为其核心保护机制,其半导体结经过特殊设计和工艺优化,能够在纳秒级时间内响应并吸收来自外部的高能量瞬态电压尖峰,例如静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或感应负载切换引起的浪涌,从而为下游精密电路提供一个稳定、安全的电压环境。

该器件的一个显著特点是其出色的箝位性能。其标称反向关断电压为130V,最小击穿电压为144V。在承受标准10/1000s波形、峰值高达3A的浪涌电流冲击时,其箝位电压最大值被严格控制在209V,这为被保护电路提供了明确的过压安全裕度。其峰值脉冲功率处理能力达到600W,确保了在单次或重复性瞬态事件中都能可靠地耗散能量。其单向特性使其特别适用于直流电源线路的保护,能够有效抑制正极性浪涌,同时其反向漏电流在正常工作电压下极低,对系统功耗影响微乎其微。

在接口与参数方面,SMBJ130A-TR采用标准的表面贴装DO-214AA(SMB)封装,便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,使其能够适应严苛的工业与汽车电子环境。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品,确保原厂正品和可靠供货。这些参数共同构成了一个高效、紧凑且坚固的电路保护解决方案。

基于其130V的关断电压和强大的浪涌抑制能力,该器件非常适合用于保护工作电压在24V至48V甚至更高范围的通信端口、数据线、电源输入接口以及各类敏感IC。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的I/O模块、网络设备(如PoE交换机)、汽车电子中的车载网络(CAN/LIN总线)和电源管理系统,以及任何需要应对IEC 61000-4-2/4/5等电磁兼容性标准测试的电子设备。它为工程师提供了一种经过验证的、高性价比的方案,以提升最终产品的可靠性和抗干扰能力。

  • 型号:SMBJ130A-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMB
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 130VWM 209VC SMB
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):130V
  • 电压 - 击穿(最小值):144V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):209V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):3A
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AA,SMB
  • 供应商器件封装:SMB
  • 想获取SMBJ130A-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SMBJ130A-TR是ST意法半导体推出的一款单向TVS二极管,专为高效抑制瞬态电压浪涌而设计。其核心参数包括130V的反向关断电压、高达600W的峰值脉冲功率以及3A(10/1000s)的浪涌电流处理能力,能够在纳秒级时间内将过压箝位在最大值209V,为后级电路提供可靠的保护。

该器件采用SMB(DO-214AA)表面贴装封装,支持-55°C至150°C的宽工作结温范围,确保了在恶劣环境下的稳定性和耐用性。其设计适用于通用型电路保护,是提升工业控制、通信接口和汽车电子系统可靠性与电磁兼容性(EMC)的理想选择。

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