PD84010TR-E

ST意法半导体推出的PD84010TR-E是一款采用LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺制造的射频功率晶体管。该器件专为在870MHz频段附近的高频、高效率功率放大应用而设计，其核心架构基于先进的射频LDMOS技术，能够在高电压下稳定工作，同时提供优异的线性度和功率增益。这种技术路径使得该晶体管在射频前端电路中，特别是在需要兼顾输出功率与信号保真度的场合，展现出显著优势。

该晶体管在7.5V的测试电压下，能够提供高达16.3dB的功率增益，这显著降低了驱动级的设计复杂度与成本。其40V的额定漏源电压和8A的连续漏极电流能力，赋予了它出色的功率处理潜力和鲁棒性。在典型工作条件下，PD84010TR-E可输出高达2W的射频功率，结合其高增益特性，使其成为构建高效功率放大级的理想选择。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术资料与采购信息。

在接口与物理实现层面，该器件采用了PowerSO-10RF封装，并带有裸露的底部焊盘。这种封装形式不仅优化了高频下的散热性能，通过将热量高效传导至PCB，确保了器件在满功率输出时的长期可靠性，其特殊的引线成形设计也简化了PCB布局和装配流程。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和验证数据，对于特定存量设备维护或类似性能要求的替代设计，仍具有重要的参考价值。

基于其技术规格，PD84010TR-E主要面向工作在UHF频段附近的专业无线通信设备。其典型应用场景包括专用移动无线电（PMR）、无线基础设施的功率放大单元以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备的末级功放。在这些对效率、线性度和输出功率有综合要求的领域，该器件能够提供稳定可靠的性能表现。

• 型号:PD84010TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16.3dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD84010TR-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件设计用于870MHz频段，在7.5V工作电压下可提供高达16.3dB的功率增益和2W的射频输出功率，有效简化了驱动级设计并提升了系统效率。

其核心优势在于高达40V的额定电压和8A的连续电流能力，确保了在高功率应用中的稳定性和鲁棒性。裸露底部的封装设计进一步优化了散热性能，使其适用于对可靠性和热管理有严格要求的专业射频功率放大电路。