PD85025S-E

PD85025S-E是一款由ST意法半导体设计生产的LDMOS射频功率晶体管，采用先进的横向扩散金属氧化物半导体工艺制造。该器件在13.6V的典型工作电压下，针对870MHz频段进行了优化，其核心架构旨在实现高功率增益与良好的线性度。其内部结构经过专门设计，以在射频功率放大应用中提供稳定的性能，裸露底部的PowerSO-10封装不仅增强了散热能力，也便于在紧凑的射频模块中进行布局和热管理。

该晶体管具备多项突出的功能特性。其额定输出功率可达10W，在300mA的测试电流条件下，能提供高达17.3dB的功率增益，这对于提升发射链路的效率和简化前级驱动电路设计至关重要。器件拥有40V的高额定电压与7A的额定电流能力，确保了其在工作条件下的高可靠性和坚固性，能够承受一定的负载失配情况。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和验证过的性能使其在特定存量或延续性项目中仍有应用价值，用户可通过授权的ST代理渠道咨询库存或替代方案信息。

在接口与参数方面，PD85025S-E的射频接口为标准匹配设计，便于在870MHz频点附近集成到放大电路中。其关键直流参数包括13.6V的典型漏极工作电压和相应的静态工作点。封装上的裸露焊盘必须可靠地焊接至PCB的接地铜箔，以实现最佳的热传导和电气接地性能，这是保证其长期稳定工作于额定功率下的必要条件。

该器件典型的应用场景集中于高频、中功率的射频发射前端。它非常适用于专业移动无线电、基站驱动级放大器以及工作在800-900MHz频段范围内的其他无线通信设备。其高增益和10W的输出功率特性，使其能够作为末级功率放大器的驱动级，或直接用于对输出功率要求中等的便携式或固定式射频设备中，为系统提供可靠的信号放大功能。

• 型号:PD85025S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 想获取PD85025S-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

PD85025S-E是ST意法半导体推出的一款LDMOS射频功率场效应晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件针对870MHz频段优化，在13.6V工作电压下可提供高达10W的输出功率和17.3dB的功率增益，具备高功率处理能力。

其采用PowerSO-10带裸露焊盘封装，确保了良好的散热性能。该器件设计用于需要中高功率增益和效率的射频放大电路，适用于特定的无线通信频段。请注意，此型号产品目前已停产。