PD85035-E

ST意法半导体推出的PD85035-E是一款基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺技术制造的射频功率晶体管。该器件采用优化的横向结构，在硅衬底上实现了卓越的功率密度与频率特性，特别针对高频、高效率应用进行了架构强化。其设计确保了在宽动态范围内稳定的线性度与增益表现，为射频功率放大提供了可靠的核心放大单元。

该芯片在870MHz的中心频率下，能够提供高达17dB的功率增益，显著提升了信号链的驱动能力。其额定工作电压为40V，测试电压为13.6V，在350mA的测试电流条件下，能够稳定输出15W的射频功率，展现出强大的功率处理能力。同时，其8A的额定电流规格为应对高峰值功率需求提供了充足的余量，确保了在脉冲或高调制信号下的稳定性和耐用性。这些特性使其在保持高效率的同时，也兼顾了优异的线性性能。

在接口与封装方面，PD85035-E采用了PowerSO-10RF封装，并带有裸露的底部焊盘。这种封装形式不仅提供了优异的散热路径，便于将芯片产生的热量高效传导至系统散热器，还通过两条成形引线优化了高频下的引线电感，有利于提升高频性能与稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

凭借其高增益、高输出功率及坚固的LDMOS架构，PD85035-E非常适用于对性能和可靠性有严苛要求的专业射频通信领域。其典型应用场景包括870MHz频段的专用移动无线电（PMR）、陆地移动电台（LMR）的功率放大器级，以及需要中等功率输出的基站驱动放大器。此外，它也适用于其他工业、科学和医疗（ISM）波段内的高频功率放大系统，是构建高效、紧凑型射频前端解决方案的理想选择。

• 型号:PD85035-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:350 mA
• 功率 - 输出:15W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD85035-E是ST意法半导体推出的一款有源LDMOS射频功率晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件专为870MHz高频应用设计，在13.6V测试电压下，能提供高达17dB的增益和15W的输出功率，具备强大的信号放大与驱动能力。

其核心优势在于40V的高额定电压和8A的额定电流，确保了器件在高功率工作条件下的可靠性与鲁棒性。采用带裸露焊盘的PowerSO-10RF封装，优化了散热与高频电气性能，适用于需要高效率、高线性度功率放成的专业通信设备。