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S2000AF

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 700V 8A TO-3PF
原厂封装:封装:TO-3PF
优势价格,S2000AF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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S2000AF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

S2000AF是ST意法半导体推出的一款高压大功率双极性晶体管(BJT),采用NPN结构,封装于ISOWATT218FX通孔封装内。该器件设计用于处理高达700V的集电极-发射极电压(VCE)和8A的连续集电极电流(IC),其核心架构旨在为高压开关和线性放大应用提供坚固可靠的性能基础。其高耐压特性使其能够在存在电压尖峰和浪涌的严苛电气环境中稳定工作,而高达50W的最大功耗能力确保了其在功率转换电路中的有效散热和长期可靠性。

该晶体管的功能特点突出体现在其强健的开关与驱动能力上。其饱和压降在典型工作条件下(如IC=4.5A, IB=1A时)最大值为5V,这有助于在导通状态下降低功耗,提升整体能效。其直流电流增益(hFE)在4.5A、5V条件下最小值为4.5,表明其具备良好的电流驱动能力,能够以相对适中的基极电流有效控制较大的集电极电流,简化了驱动电路的设计。此外,集电极截止电流最大仅为200A,展现了优异的关断特性,有助于降低待机功耗。

在接口与关键参数方面,S2000AF通过其ISOWATT218FX封装提供了优异的电气隔离和散热性能,该封装专为高功率应用优化。其工作结温(TJ)最高可达150°C,赋予了器件在高温环境下稳定运行的宽裕度。虽然该产品目前已处于停产状态,但其技术规格在特定领域仍有参考和替代价值。对于需要此类高性能分立器件的设计,建议通过官方ST授权代理渠道咨询最新的替代方案或库存信息,以确保供应链的可靠性与技术支持。

基于其高压、大电流的特性,S2000AF的传统应用场景主要集中于工业电源、电机控制驱动、UPS(不间断电源)系统以及照明电子镇流器等需要高压开关或线性调节的功率电子领域。它常被用作开关模式电源(SMPS)中的主开关管、半桥或全桥拓扑中的开关元件,或用于驱动继电器、电磁阀等感性负载,其坚固的设计旨在应对这些应用中的高电压应力和电流冲击。

  • 型号:S2000AF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3PF
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 700V 8A TO-3PF
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):700 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):5V @ 1A,4.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):200A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):4.5 @ 4.5A,5V
  • 功率 - 最大值:50 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-3PF
  • 想获取S2000AF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

S2000AF是ST意法半导体生产的一款高压大功率NPN双极性晶体管。其核心规格包括高达700V的集射极击穿电压和8A的最大集电极电流,最大功耗为50W,使其能够胜任高压、大电流的开关与放大任务。

器件采用ISOWATT218FX通孔封装,提供良好的电气隔离与散热性能。其技术参数,如最大5V的饱和压降和最小4.5的直流电流增益(在4.5A, 5V条件下),优化了其在功率电路中的导通效率与驱动简易性。尽管产品状态为停产,其设计针对工业电源、电机驱动等严苛应用,体现了高可靠性要求。

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