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SCT040HU65G3AG
的报价和技术资料 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商 |
SCT040HU65G3AG
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
原厂封装:
封装:HU3PAK
优势价格,SCT040HU65G3AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SCT040HU65G3AG的技术资料下载
SCT040HU65G3AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
型号:SCT040HU65G3AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:HU3PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):55 毫欧 @ 20A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):39.5 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):920 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):221W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:HU3PAK
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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