SCT10N120

SCT10N120是ST意法半导体推出的一款基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率开关器件。该器件采用独特的SiCFET架构，将碳化硅材料的优异物理特性与优化的场效应晶体管结构相结合，实现了传统硅基MOSFET难以企及的性能突破。其核心在于利用碳化硅更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场和更优异的热导率，这使得器件能够在更高的电压、频率和温度下稳定工作，同时显著降低开关损耗和导通损耗，为高效率、高功率密度的电源设计奠定了物理基础。

该器件的功能特点十分突出。其1200V的漏源击穿电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对工业级三相电应用及高压直流母线环境。得益于碳化硅技术，其导通电阻（Rds(on)）在20V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为690毫欧，有效降低了通态损耗。更低的栅极电荷（Qg，最大值22nC）和输入电容（Ciss，最大值290pF @ 400V）是其另一大亮点，这意味着极快的开关速度和极低的驱动损耗，有助于提升系统开关频率，从而减小无源元件的体积和成本。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，具备良好的噪声抑制能力和与标准驱动电路的兼容性。

在接口与参数方面，SCT10N120采用坚固的HiP247通孔封装，确保了优异的散热性能和机械可靠性，其最大功率耗散可达150W（Tc）。其工作结温范围宽达-55°C至200°C，赋予了系统在严苛环境下稳定运行的潜力。栅极驱动电压范围支持+25V至-10V，为设计者提供了灵活的驱动策略选择，例如采用负压关断以增强抗干扰能力。这些参数共同描绘出一个高效、坚固且易于驱动的功率开关形象。

基于上述特性，SCT10N120非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的领域。典型应用包括服务器/数据中心电源、工业电机驱动、太阳能光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）及直流快充桩等。在这些场景中，它能有效提升整机效率，减少散热需求，并允许使用更小的磁性元件，从而实现系统的小型化和轻量化。对于需要可靠供应链和技术支持的国内客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

• 型号:SCT10N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取SCT10N120的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SCT10N120是ST意法半导体基于碳化硅（SiC）技术开发的一款高性能N沟道功率开关管。该器件具备1200V的额定漏源电压和12A的连续漏极电流能力，采用HiP247通孔封装，最大功率耗散为150W。

其核心优势在于极低的开关损耗和导通损耗。在20V驱动电压下，其导通电阻典型值仅为690毫欧 @ 6A，同时栅极电荷最大值低至22nC，输入电容最大值仅为290pF @ 400V。这些特性共同确保了器件在高频开关应用中的高效率。其工作结温范围宽达-55°C至200°C，提供了卓越的热稳定性和可靠性。