STP26NM60ND

STP26NM60ND是ST意法半导体基于其第二代FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其核心设计目标是在600V的电压等级下，实现低导通损耗、优异的开关性能和坚固的雪崩耐量，这对于提升功率转换系统的整体效率与可靠性至关重要。

该MOSFET的典型导通电阻在10V驱动电压、10.5A电流条件下仅为175毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在54.6nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。结合高达±25V的栅源电压耐受范围，器件在应用中具备良好的抗干扰能力。其封装采用经典的TO-220通孔形式，提供了高达190W（Tc）的功率耗散能力和便捷的散热安装方式，结温最高可支持至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在电气参数方面，STP26NM60ND标称连续漏极电流为21A（Tc），漏源击穿电压（Vdss）为600V，能够从容应对工业级应用中的高压母线条件。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，与标准的10-15V驱动电平兼容良好。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理渠道，工程师仍可能获取库存用于特定维护或旧有设计。其低Rds(on)与Qg的平衡特性，使其非常适用于对效率有严格要求的离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器的开关臂以及不同断电源（UPS）系统中的DC-AC逆变级，是构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件之一。

• 型号:STP26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP26NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和21A（Tc）的连续漏极电流，为高压、大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为175毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值54.6nC）有利于降低开关损耗并简化驱动设计。这些特性共同指向更高的系统效率和功率密度，使其成为开关电源、电机驱动和功率转换等领域的理想选择。