STP15NM60ND

在功率电子领域，STP15NM60ND是一款基于意法半导体FDmesh II技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该技术平台通过优化的单元结构和先进的工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。其核心架构旨在降低传导损耗和开关损耗，从而在高压、高频工作条件下提供稳定可靠的性能表现。

该器件具备多项关键电气特性。高达600V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业级AC-DC转换、功率因数校正等高压场合的电压应力。在25°C壳温下，其连续漏极电流额定值为14A，配合低至299毫欧的导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散，有助于提升系统能效并简化散热设计。其栅极驱动设计也较为友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时最大栅极电荷仅为40nC，这有助于降低驱动电路的损耗并支持更高频率的开关操作。

在接口与参数方面，STP15NM60ND采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达125W的功率耗散能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。需要注意的是，该器件已进入停产状态，在进行新设计选型时需考虑替代方案或库存情况，如需获取官方渠道的库存或技术支持，可以咨询ST一级代理。

得益于其高压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源、不间断电源、电机驱动控制以及工业照明镇流器等场景。在这些应用中，它主要扮演着功率开关的角色，其快速开关能力和良好的热性能对于提升整个电源系统的功率密度和可靠性具有直接贡献。

• 型号:STP15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP15NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括600V的漏源电压和14A的连续漏极电流，能够承受较高的功率等级。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至299毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷最大值仅为40nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源和功率转换应用中一个值得考虑的功率开关解决方案。