STW240N10F7

作为ST意法半导体STripFET F7系列中的一员，STW240N10F7是一款采用N沟道技术的高性能功率MOSFET，封装于标准的TO-247通孔封装中，专为要求高效率和高功率密度的应用而设计。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化单元结构和制造流程，在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。该器件在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值高达180A，确保了其在严苛的大电流工作环境下的可靠性。

该器件的显著优势体现在其极低的导通电阻上，在10V栅极驱动电压、90A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为160nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速、干净的开关转换，减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了较宽的安全工作裕度。对于需要技术支持与供应的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取相关服务与信息。

在电气参数方面，STW240N10F7展现了全面的稳健性。其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力。器件在壳温条件下的最大功率耗散能力为300W，结合其宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够适应从工业到汽车等各种环境条件下的持续运行。TO-247封装提供了优异的机械强度和热性能，便于通过散热器进行高效的热管理。

凭借高电流能力、低导通电阻和稳健的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的领域。典型应用包括大功率开关电源（SMPS）的初级侧或同步整流、电机驱动与控制系统中的逆变器桥臂、不间断电源（UPS）以及各类工业级DC-DC转换器。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有系统设计、维护或特定批量的应用中，它仍然是一个经过验证的高性能解决方案，体现了STripFET F7系列在功率半导体技术上的成熟与可靠。

• 型号:STW240N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW240N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用TO-247封装，核心电气规格包括100V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下高达180A的连续漏极电流（Id）能力，为高功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于极低的功率损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）可低至3毫欧（@90A），显著降低了传导过程中的能量损失。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值160nC @10V）与输入电容参数，确保了快速高效的开关性能，有助于提升系统整体效率与功率密度。器件结温工作范围覆盖-55°C至175°C，具备良好的环境适应性。