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STGF30H65DFB2

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220FP
原厂封装：封装:TO-220FP
优势价格，STGF30H65DFB2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGF30H65DFB2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 型号:STGF30H65DFB2
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220FP
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值:50 W
  • 开关能量:270J（导通），310J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:90 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns
  • 测试条件:400V，30A，6.8 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):115 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
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