SCT10N120AG

ST意法半导体推出的SCT10N120AG是一款基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率开关器件，代表了高压、高效率功率转换领域的重要进展。其核心架构采用了ST独有的SiCFET技术，该技术结合了碳化硅材料优异的物理特性与优化的场效应晶体管设计。碳化硅相较于传统硅材料，具有更高的临界击穿电场、更快的电子饱和漂移速度以及更高的热导率，这使得器件能够在更高的电压、频率和温度下稳定工作，同时显著降低开关损耗和导通损耗。

该器件集成了多项旨在提升系统可靠性与效率的功能特性。高达1200V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及汽车应用中的高压母线环境。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）可达12A，结合最大仅690毫欧的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为6A, 20V），确保了在导通状态下极低的功率损耗。栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC，配合较低的输入电容，意味着极快的开关速度和极低的栅极驱动损耗，这对于提升开关电源频率、减小无源元件体积至关重要。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 200°C）和高达150W的功率耗散能力，赋予了系统卓越的热稳定性和功率处理裕量。

在接口与参数方面，SCT10N120AG采用标准的20V驱动电压，与广泛使用的硅基MOSFET驱动电路兼容，降低了设计复杂度。其栅极电压（Vgs）支持+25V至-10V的范围，提供了可靠的导通与关断保障。器件采用坚固的HiP247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，并通过了AEC-Q101汽车级认证，满足严苛的汽车电子可靠性要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能与高可靠性，该芯片非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的场景。在新能源汽车领域，它是车载充电机（OBC）、直流-直流变换器（DC-DC）以及主驱动逆变器的理想选择。在工业领域，可用于服务器电源、通信电源、光伏逆变器及不同断电源（UPS）等系统，帮助实现系统的小型化、轻量化和高效化。其汽车级品质也使其成为推动汽车电气化进程的关键元器件之一。

• 型号:SCT10N120AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCT10N120AG是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅（SiC）功率FET，隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件采用先进的SiCFET技术，提供了1200V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，专为应对高压、大电流的苛刻应用环境而设计。

其核心优势在于极低的开关与导通损耗，这得益于最大仅690毫欧的低导通电阻和仅22nC的低栅极电荷。这些特性共同实现了高效率与高开关频率的运行，有助于缩小系统体积并提升功率密度。此外，器件采用HiP247通孔封装，支持-55°C至200°C的宽工作结温范围，确保了在汽车及工业应用中的卓越可靠性与热性能。