STP20NK50Z

STP20NK50Z是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH产品系列。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其核心设计目标是在高压开关应用中实现高效率与高可靠性，内部结构针对快速开关和低栅极电荷进行了特别优化，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，为离线电源、电机驱动等高压环境提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为270毫欧（@8.5A），这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升整体能效并减少发热。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在119nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着驱动所需的能量较低，有利于实现高速开关并降低对栅极驱动器的要求，简化电源设计。

在接口与参数层面，STP20NK50Z采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案。其在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）额定值达17A，最大功耗为190W，展现了强大的电流处理与功率耗散能力。器件支持高达±30V的栅源电压（Vgs），提供了较宽的驱动安全范围。其工作结温范围宽广，从-50°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高压、低导通电阻和快速开关的平衡特性，STP20NK50Z非常适用于需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器、不同断电源（UPS）以及电子镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，并增强产品的可靠性。

• 型号:STP20NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP20NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达500V的漏源击穿电压（Vdss）与低至270毫欧（@10V Vgs， 8.5A Id）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这为高压应用提供了高效率的开关解决方案。

该器件设计注重降低开关损耗，其最大栅极电荷（Qg）仅为119nC，有助于实现快速开关并简化驱动电路。在壳温条件下，它能处理17A的连续漏极电流，最大功耗达190W，工作结温范围覆盖-50°C至150°C，确保了在电源转换、电机驱动等高压大电流场景中的稳定性和可靠性。