A2P75S12M3-F

A2P75S12M3-F是ST意法半导体推出的一款高性能IGBT模块，采用先进的ACEPACK 2封装技术。该模块集成了三个独立的沟槽型场截止IGBT及其对应的续流二极管，构成了一个完整的三相反相器桥臂。这种集成化设计不仅优化了功率回路的布局，减少了寄生电感，还显著提升了系统的功率密度和可靠性，为紧凑型大功率应用提供了理想的解决方案。

该模块的核心优势在于其出色的电气性能与热管理能力。其采用了ST成熟的沟槽型场截止技术，在1200V的集射极击穿电压下，能够稳定承载高达75A的集电极电流。其饱和压降Vce(on)典型值仅为2.3V（在15V栅极驱动电压和75A集电极电流条件下），这一低导通损耗特性直接转化为更高的系统效率和更低的发热量。模块内部集成了负温度系数热敏电阻，为系统提供了直接、精确的温度监测点，是实现智能过温保护和优化散热设计的关键。

在接口与参数方面，A2P75S12M3-F采用标准电平输入，兼容市面上主流的驱动IC，简化了驱动电路设计。其最大功耗为454.5W，结温工作范围宽达-40°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。4700pF的输入电容值（在25V Vce条件下测得）为栅极驱动设计提供了明确的参考。模块采用底座安装方式，便于与散热器紧密贴合，实现高效的热传导。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高电压、大电流、高效率以及紧凑的封装，这款IGBT模块非常适合应用于工业电机驱动、变频器、不间断电源以及新能源发电系统如光伏逆变器和储能变流器等场景。其高集成度和内置的温度传感功能，尤其有助于工程师简化系统设计，缩短开发周期，并构建出更高效、更可靠的功率转换平台。

• 型号:A2P75S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 75A ACEPACK 2
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:75 A
• 功率 - 最大值:454.5 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，75A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.7 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 2
• 想获取A2P75S12M3-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

A2P75S12M3-F是ST意法半导体的一款1200V/75A IGBT功率模块，采用ACEPACK 2封装。模块集成了三相反相器桥臂，基于沟槽型场截止技术，实现了低至2.3V的导通压降，有效降低了开关损耗和热负荷。

该模块集成了NTC热敏电阻，便于实时温度监控与保护，其结温工作范围覆盖-40°C至150°C，确保在恶劣环境下稳定运行。其紧凑的模块化设计和底座安装方式，为工业驱动、变频及新能源电源等中高功率应用提供了高功率密度与高可靠性的解决方案。