STF12N50DM2

STF12N50DM2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh DM2系列高性能功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，并结合了多项专利的单元布局与工艺优化技术，旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）之间的卓越平衡，从而有效降低开关损耗和传导损耗，提升系统整体能效。

其核心优势在于采用了第二代MDmesh DM2技术，该技术通过优化单元密度和沟道设计，显著改善了器件的开关性能。具体表现为，在10V驱动电压下，其导通电阻典型值仅为350毫欧（在5.5A条件下），而栅极总电荷（Qg）最大值控制在16nC。这种特性组合使得该MOSFET在硬开关和软开关拓扑中都能表现出色，尤其适用于需要高频率和高效率运行的场景。此外，其500V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，增强了系统在工业环境下的可靠性。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下可连续通过11A的漏极电流，最大功率耗散为25W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。输入电容（Ciss）在100V条件下最大值为628pF，较低的电容值有助于减少驱动损耗并提升开关速度。器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于在功率板上进行机械固定和散热管理，其工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。

凭借其高耐压、高效率和高可靠性的特点，STF12N50DM2非常适合于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动以及UPS（不间断电源）等中高功率领域。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

• 型号:STF12N50DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:628 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF12N50DM2是ST意法半导体基于第二代MDmesh DM2技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于在500V的漏源电压（Vdss）下高效工作，并在25°C壳温下提供高达11A的连续漏极电流。

其技术核心在于优化了导通电阻与栅极电荷的权衡，典型导通电阻低至350毫欧（@10V， 5.5A），同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为16nC。这种特性组合显著降低了开关和传导损耗，提升了电源系统的效率。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功率耗散为25W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。