SCT30N120H

ST意法半导体推出的SCT30N120H是一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件基于宽禁带半导体材料，其核心架构相较于传统硅基MOSFET，在物理特性上实现了根本性突破。碳化硅材料带来了更高的临界击穿电场、更快的电子饱和漂移速度以及优异的热导率，这使得SCT30N120H能够在高压、高频及高温环境下展现出卓越的性能，为电力电子系统提供了更高效率、更高功率密度的解决方案。

该器件集成了多项关键功能特性，旨在优化开关性能与系统可靠性。其1200V的漏源击穿电压（Vdss）与40A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对工业级三相交流输入或高压直流母线等严苛应用。得益于SiC技术，其导通电阻（Rds(on)）在20A、20V条件下典型值仅为100毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为105nC，结合较低的输入电容（Ciss），显著减少了开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟，为实现高频开关操作奠定了基础，这对于提升开关电源和逆变器的效率与功率密度至关重要。

在接口与电气参数方面，SCT30N120H设计精良，便于系统集成。其驱动电压范围为-10V至+25V，标准门极阈值电压（Vgs(th)）较低，确保了与通用栅极驱动器的良好兼容性，并提供了可靠的关断负压裕量。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，该封装具有良好的散热性能和功率循环能力，结合高达270W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在结温（Tj）高达200°C的宽温度范围内稳定工作，提升了系统在恶劣环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料、样品及设计支持。

基于其高压、高效、高频的特性组合，SCT30N120H非常适合应用于对效率和功率密度有极高要求的领域。典型应用场景包括服务器/电信电源的功率因数校正（PFC）电路、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动以及电动汽车的车载充电机（OBC）和直流-直流变换器。在这些应用中，它能够帮助设计者减小磁性元件尺寸、提高系统效率并降低整体散热需求，从而推动电力电子设备向更紧凑、更高效、更可靠的方向发展。

• 型号:SCT30N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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SCT30N120H是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心优势在于其宽禁带半导体材料特性，提供了1200V的漏源电压和40A的连续漏极电流处理能力，适用于高压高功率应用环境。

其技术参数突出高效与快速开关特性，在20V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至100毫欧（@20A），最大栅极电荷（Qg）仅为105nC。这些特性共同作用，显著降低了导通与开关损耗，支持更高频率的开关操作。器件结温工作范围宽达-55°C至200°C，确保了在高温环境下的可靠性与长寿命运行。