SCTH90N65G2V-7

ST意法半导体推出的SCTH90N65G2V-7是一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件基于成熟的宽禁带半导体材料，其核心架构旨在实现比传统硅基MOSFET更优异的电气性能。SiC材料本身具有更高的临界击穿电场、更高的热导率以及更宽的能带隙，这使得SCTH90N65G2V-7能够在高温、高压和高频环境下稳定工作，同时显著降低开关损耗和导通损耗。

该器件集成了多项旨在提升系统效率与可靠性的功能特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）与90A的连续漏极电流（Id）能力，为高功率应用提供了坚实的电压与电流裕量。得益于SiC技术，它在18V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在50A电流下最大值仅为26毫欧，这直接转化为更低的通态损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在157nC，结合优化的内部结构，有助于实现快速开关，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面，SCTH90N65G2V-7采用表面贴装型H2PAK-7封装，这种封装具有良好的热性能和功率循环能力，其最大结温（TJ）高达175°C，允许在恶劣的热环境中运行。器件支持+22V至-10V的宽范围栅源电压（Vgs），提供了设计灵活性并增强了抗干扰能力。其在400V偏置下的输入电容（Ciss）最大值为3300pF，与较低的Qg共同确保了快速的动态响应。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与获取完整服务的有力保障。

凭借其高性能指标，SCTH90N65G2V-7非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它是服务器及数据中心电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能光伏逆变器以及电动汽车车载充电（OBC）等系统的理想选择。在这些应用中，该器件能够帮助设计者实现更高的开关频率，从而减小无源元件（如电感和电容）的尺寸和成本，最终打造出更紧凑、更高效、更可靠的下一代电力电子解决方案。

• 型号:SCTH90N65G2V-7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:157 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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SCTH90N65G2V-7是ST意法半导体基于碳化硅（SiC）技术开发的一款高性能N沟道功率FET。该器件额定值为650V漏源电压和90A连续漏极电流，采用H2PAK-7表面贴装封装，专为高功率、高能效应用而优化。

其核心优势在于极低的导通电阻（26mΩ @50A, 18V）与优化的栅极电荷（157nC @18V），这共同确保了较低的传导损耗和快速的开关性能，从而提升系统整体效率。器件结温最高可达175°C，具备出色的高温工作能力和可靠性。

这些特性使其成为工业电源、电机驱动、新能源逆变及电动汽车充电等先进电力转换系统中功率开关单元的卓越选择。