SCTW100N65G2AG

ST意法半导体推出的SCTW100N65G2AG是一款基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用HiP247通孔封装，专为满足汽车级AEC-Q101标准的严苛应用环境而设计，代表了高效率、高可靠性功率开关解决方案的最新进展。其核心在于利用宽禁带半导体材料碳化硅的优异物理特性，相比传统硅基MOSFET，在高温、高压和高频工作条件下能实现更低的导通损耗和开关损耗，显著提升系统整体能效。

该芯片具备多项突出的电气特性。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及汽车应用中常见的母线电压波动。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达100A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，其在18V栅极驱动电压、50A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为26毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的通态损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在162nC（@18V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，为实现更高频率的开关操作创造了条件。

在接口与参数层面，SCTW100N65G2AG的栅源电压（Vgs）工作范围设计为-10V至+22V，提供了充足的噪声容限和可靠的关断保障。其输入电容（Ciss）在520V漏源电压下最大值为3315pF，结合优化的内部封装寄生参数，有利于实现干净、快速的开关波形。器件在壳温条件下的最大功率耗散能力为420W，并且结温（Tj）工作范围宽达-55°C至200°C，确保了其在极端温度环境下的稳定运行与长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能与高可靠性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有极致要求的领域。在新能源汽车中，它是车载充电机（OBC）、直流-直流变换器（DC-DC）以及主驱动逆变器的理想选择，能够有效提升续航里程。在工业领域，可用于服务器电源、通信电源、光伏逆变器及不同断电源（UPS）等设备，助力实现系统的小型化和轻量化。此外，在高端消费类快速充电设备中，也能发挥其高效率优势，缩短充电时间并减少能量浪费。

• 型号:SCTW100N65G2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315 pF @ 520 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:420W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCTW100N65G2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用HiP247通孔封装，核心优势在于利用SiC材料特性，实现了高压、大电流下的高效功率开关。

其关键参数包括650V的漏源电压（Vdss）和100A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。在18V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至26毫欧（@50A），栅极电荷（Qg）最大值为162nC，这共同确保了极低的导通与开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至200°C）和420W（Tc）的功率耗散能力，使其能够满足汽车及工业应用中对高温可靠性和高功率密度的严苛要求。