STP12NM50FP

STP12NM50FP是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了极低的导通电阻与栅极电荷的出色平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升开关电源和电机驱动等应用的整体效率至关重要。MDmesh技术特有的低栅极电荷特性，使得该器件在高速开关应用中能够显著降低驱动损耗，同时保持良好的抗dv/dt能力，确保了系统运行的可靠性。

该器件具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为350毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的通态损耗和更少的热量产生。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为39nC，结合1000pF的输入电容（Ciss），意味着它能够被快速驱动，从而实现更高频率的开关操作并降低开关损耗。其栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

在封装方面，STP12NM50FP采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于通过散热器进行高效的热管理。其最大功率耗散能力为35W（基于管壳温度），结合-65°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境条件。这些电气与物理特性的结合，使其成为需要高可靠性和高效率的功率转换系统的理想选择。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高压、大电流、低损耗的特性，STP12NM50FP非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与控制系统（如变频器、伺服驱动）、工业照明（如HID灯电子镇流器）以及不同断电源（UPS）等应用领域。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强整体方案的功率密度与可靠性。

• 型号:STP12NM50FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP12NM50FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至350毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为39nC，确保了快速开关能力和较低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-220FP封装，支持通孔安装，便于散热设计，适用于要求高可靠性的工业级功率转换场景。