SCTW35N65G2V

SCTW35N65G2V是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件基于第三代宽禁带半导体材料，其核心架构相较于传统硅基MOSFET实现了质的飞跃，通过优化栅极结构和沟道设计，显著降低了寄生电容和导通电阻，从而在高压、高频及高温工作环境下展现出卓越的电气性能与可靠性。

该器件集成了多项关键功能特性，旨在满足严苛的汽车电子应用需求。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）与45A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及电机驱动中的高功率密度要求。其导通电阻（Rds(on)）在20A电流和20V栅极驱动电压下典型值仅为67毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值73nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有效降低了开关损耗，为提升系统工作频率、减小无源元件体积创造了条件。其栅极驱动电压范围兼容性强，最大正负电压分别为+22V和-10V，便于与主流驱动IC配合使用。

在接口与参数方面，SCTW35N65G2V采用坚固的HiP247通孔封装，该封装专为高功率密度和高可靠性设计，提供了优异的热性能和机械强度，使得器件在壳温（Tc）下最大功率耗散可达240W。其宽广的工作结温范围（-55°C至200°C）完全符合AEC-Q101汽车级标准，确保了在极端环境温度下的长期稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取完整的产品资料、样品以及设计协助。

凭借其高性能与高可靠性，该芯片主要面向对效率、功率密度和鲁棒性有极高要求的应用场景。在新能源汽车领域，它是车载充电机、主驱逆变器辅助电源、高压辅助DC-DC转换器的理想选择。在工业电源领域，同样适用于服务器电源、通信电源、光伏逆变器以及不间断电源（UPS）等高效能功率转换模块，助力系统实现更小的体积、更轻的重量和更高的能源转换效率。

• 型号:SCTW35N65G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCTW35N65G2V是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用HiP247封装，核心优势在于其650V的耐压和45A的连续电流处理能力，结合其低至67毫欧的导通电阻，为高功率应用提供了出色的效率和功率密度。

其技术特性围绕降低系统损耗设计，包括最大73nC的低栅极电荷和优化的开关特性，这有助于实现高频开关并减少开关损耗。器件支持-55°C至200°C的宽结温工作范围，确保了在严苛汽车及工业环境下的高可靠性与长期稳定性，是电动汽车车载充电、DC-DC转换及工业高效电源等先进功率转换系统的关键组件。