SCTWA35N65G2VAG

SCTWA35N65G2VAG是ST意法半导体推出的一款采用TO-247长引线封装、通孔安装的N通道碳化硅结晶体管。该器件基于先进的SiC（碳化硅）技术构建，与传统的硅基MOSFET相比，其核心优势在于显著降低了开关损耗和导通电阻，同时能够在更高的温度下稳定工作。其结构设计优化了载流子迁移率，使得器件在高压、大电流条件下依然能保持优异的电气性能，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该晶体管具备650V的漏源电压（Vdss）额定值和45A（Tc）的连续漏极电流能力，展现出强大的功率处理潜能。其导通电阻在20A电流和20V驱动电压下典型值仅为72毫欧，这一低Rds(On)特性直接转化为更低的传导损耗。栅极驱动设计兼容性强，最大栅源电压为+20V/-5V，栅极阈值电压最大值为3.2V，确保了与多种控制电路的便捷接口。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为73nC，结合1370pF @ 400V的输入电容，共同实现了极快的开关速度和极低的开关损耗，这对于提升系统频率和功率密度至关重要。

在电气参数方面，该器件在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散可达208W，展现了出色的散热能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）使其能够适应苛刻的环境要求，提升了系统在高温环境下的可靠性。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。这些接口与参数特性使其在要求高效率和高可靠性的应用中成为理想选择。

基于其高性能指标，SCTWA35N65G2VAG非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它常被用于服务器和电信设备的高效率开关电源（SMPS）、光伏逆变器和储能系统的功率级，以及电动汽车车载充电机（OBC）和直流-直流变换器中。其快速开关特性也使其成为工业电机驱动和不间断电源（UPS）系统中提升能效和动态响应的关键元件。

• 制造商产品型号：SCTWA35N65G2VAG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：72毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：73nC @ 20V
• Vgs（最大值）：+20V，-5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247 长引线
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SCTWA35N65G2VAG是ST意法半导体推出的一款N通道碳化硅（SiC）结晶体管，采用TO-247长引线通孔封装。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）和45A（Tc）的连续漏极电流处理能力，结合其基于SiC技术带来的低导通电阻（典型72毫欧 @ 20A, 20V）与低栅极电荷（最大73nC），共同实现了极低的传导与开关损耗。

其设计支持高达208W（Tc）的功率耗散，并能在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在高温、高功率密度应用中的可靠性。这些特性使其成为提升开关电源、光伏逆变器、电动汽车电驱及工业电机驱动等系统效率与功率密度的关键功率开关解决方案。