STH250N55F3-6

STH250N55F3-6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用HPAK表面贴装封装，专为要求高电流处理能力和低导通损耗的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与沟道电阻，在55V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的性能平衡，尤其注重在开关过程中降低栅极电荷和寄生电容的影响。

该芯片在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值高达180A，展现出强大的电流承载能力。其最突出的特性之一在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流的测试条件下，Rds(on)最大值仅为2.6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为100nC，结合6800pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的功率需求，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，STH250N55F3-6的栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了宽裕的安全工作范围。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件支持高达300W的功率耗散（基于壳温），并且结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

凭借高电流、低导通电阻和快速开关性能的组合，STH250N55F3-6非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、高功率电机驱动与控制系统、以及不间断电源（UPS）和逆变器中的功率开关部分。其HPAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，适合自动化表面贴装生产流程。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品开发提供了重要参考。

• 型号:STH250N55F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH250N55F3-6是ST意法半导体推出的一款采用HPAK封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于处理高达180A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至2.6毫欧（@10V，60A），这能显著降低功率应用中的传导损耗，提升整体能效。

此外，该MOSFET具备100nC的低栅极电荷和55V的漏源电压额定值，支持快速开关操作，适用于高频开关电源设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为高功率密度DC-DC转换、电机驱动和电源逆变等应用的理想选择。