STD12NM50N

STD12NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单晶片上实现了多外延层与深沟槽栅极的优化组合，这种架构的核心优势在于显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，即优值系数（FOM），从而在开关速度与导通损耗之间取得了卓越的平衡。

得益于MDmesh II技术，该MOSFET展现出多项关键电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达500V，确保了在高压环境下的可靠隔离与工作能力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为11A，而导通电阻在10V栅极驱动电压、5.5A漏极电流条件下典型值仅为380毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在30nC（@10V），结合940pF的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量更低，有助于简化栅极驱动设计并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功率可达100W。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了充足的驱动安全裕量。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，具备一定的抗干扰能力。其结温（T_J）最高可工作于150°C，展现了宽泛的工作温度范围。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取关于该产品的详细技术资料与库存信息。

这款MOSFET主要面向需要高效能、高可靠性的中高压开关应用场景。其典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。其优异的开关特性与导通性能，使其特别适用于追求高功率密度和高效率的现代电源设计方案中，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续中仍具参考价值。

• 型号:STD12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD12NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心电气参数包括500V的漏源电压（V_DSS）和11A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为380毫欧，而栅极总电荷（Q_G）最大值仅为30nC。这一特性组合有效降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率并简化驱动设计，使其成为开关电源和功率转换电路中功率开关阶段的理想选择。