SCTW70N120G2V

ST意法半导体推出的SCTW70N120G2V是一款基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道结晶体管（SJT），代表了高压、高功率密度应用领域的前沿解决方案。其核心架构采用了ST独有的HiP247封装技术，该封装专为优化热管理和电气性能而设计，确保了器件在高功率耗散下的可靠性与稳定性。通过利用宽禁带半导体材料碳化硅的优异特性，该器件在高温、高频及高压工作条件下，相比传统硅基MOSFET展现出显著的优势，包括更低的开关损耗和导通损耗。

该器件集成了多项旨在提升系统效率与鲁棒性的功能特性。1200V的漏源击穿电压（Vdss）与高达91A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对严苛的工业级功率转换需求。其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下（50A， 18V Vgs）最大值仅为30毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，优化的栅极电荷（Qg）最大值仅为150nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源和逆变器的频率、减小无源元件体积至关重要。

在电气接口与参数方面，SCTW70N120G2V的栅极驱动电压范围宽泛，最大正向电压为+22V，负向关断电压支持至-10V，这为设计者提供了灵活的驱动电路设计空间，并增强了抗干扰能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.9V，提供了良好的噪声容限。器件支持高达200°C的结温（TJ）工作，并具备547W（Tc）的强大功率处理能力，通孔安装的HiP247封装确保了出色的散热路径。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其卓越的性能参数，SCTW70N120G2V非常适合于对效率、功率密度和可靠性有极高要求的应用场景。它是工业电机驱动、大功率服务器电源、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电模块以及不间断电源（UPS）等系统的理想选择。在这些应用中，该器件能够有效降低系统热损耗，提升功率转换效率，并允许设计更紧凑、更轻量的最终产品，从而满足现代电力电子设备不断发展的需求。

• 型号:SCTW70N120G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):91A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 800 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:547W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCTW70N120G2V是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道碳化硅结晶体管（SJT），采用HiP247通孔封装。该器件核心优势在于其1200V的额定电压和91A的连续电流能力，结合碳化硅技术固有的低损耗特性，为高功率应用提供了高效的解决方案。

其关键电气参数表现出色，最大导通电阻低至30毫欧（@50A， 18V），有助于显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（150nC @18V）和宽泛的工作温度范围（-55°C至200°C），确保了器件在高频开关和高温环境下的稳定、高效运行，适用于要求严苛的工业与能源领域。