STU11NM60ND

STU11NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于对单元密度和电荷平衡的精细控制，这有效降低了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而提升了开关效率和功率密度，使其在高压开关应用中表现出色。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）能力，为高压环境下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻在典型工作条件下（5A， 10V Vgs）最大仅为450毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，最大栅极电荷（Qg）控制在30nC，有助于减少开关过程中的损耗并简化驱动电路设计，提升系统整体效率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了良好的抗干扰能力。

在接口与参数方面，该器件采用通孔安装的I-PAK封装，便于在标准PCB上进行焊接和散热管理。其热性能由最大结温150°C和90W的功率耗散能力（Tc）所定义，确保了在严苛工况下的可靠性。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于抑制高频开关下的振荡现象。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高压、低损耗的特性，STU11NM60ND非常适合应用于要求高效率和高可靠性的离线式电源系统，例如开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、UPS（不间断电源）的逆变模块以及工业电机驱动的功率转换部分。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件替换市场中，它依然是一个经过验证的高性能解决方案。

• 型号:STU11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 想获取STU11NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STU11NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）额定值，结合低至450毫欧的导通电阻（Rds(on)），确保了在高压开关应用中具备出色的功率处理能力和低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC，这显著降低了开关损耗，有利于提升系统整体效率并简化驱动设计。器件采用I-PAK通孔封装，提供良好的散热路径，最大结温为150°C，适用于对可靠性和热管理有较高要求的工业级电源与电机控制应用场景。