SCTWA50N120

意法半导体（STMicroelectronics）推出的SCTWA50N120是一款基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率开关器件。它采用了ST专利的SiCFET技术，该架构在单芯片上集成了碳化硅JFET和硅MOSFET的优势，实现了常关型操作，同时保持了碳化硅材料固有的高临界电场强度、高热导率以及高电子饱和漂移速度等优异物理特性。这种独特的核心设计使得器件能够在高压、高频及高温环境下表现出卓越的电气性能，为下一代高效能功率转换系统提供了关键解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其额定漏源电压高达1200V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达65A，展现出强大的功率处理能力。得益于SiC材料的优势，其导通电阻极低，在40A电流和20V栅极驱动电压下，典型值仅为69毫欧，这直接降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在122nC，输入电容（Ciss）也处于较低水平，这共同确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，显著提升了系统的工作频率和整体效率。其栅极驱动电压范围兼容标准电平，最大正向电压为+25V，反向为-10V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，便于驱动电路设计。对于寻求可靠供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原厂正品和技术支持。

在接口与参数方面，SCTWA50N120采用通孔安装的HiP247封装。这种封装形式提供了优异的散热性能和机械可靠性，其最大功率耗散能力为318W（Tc）。器件的工作结温范围极宽，从-55°C延伸至200°C，使其能够适应严苛的环境条件和高温运行场景，增强了系统的鲁棒性和使用寿命。这些电气与热学参数的结合，使其在要求高效率和高功率密度的应用中成为理想选择。

基于其高性能指标，SCTWA50N120主要面向对效率和功率密度有极致追求的应用领域。它非常适合用于服务器和电信设备的高效率开关电源（SMPS）、光伏逆变器和储能系统（ESS）的DC-AC或DC-DC功率级、电动汽车车载充电机（OBC）和电机驱动中的主逆变器或辅助电源模块，以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）等。在这些场景中，它能够帮助系统设计者显著降低能量损耗，减小散热器尺寸和系统体积，最终实现更紧凑、更高效、更可靠的电力电子解决方案。

• 型号:SCTWA50N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:318W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCTWA50N120是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道SiCFET功率晶体管。该器件采用先进的碳化硅技术，额定电压为1200V，连续漏极电流高达65A（Tc），在40A电流下导通电阻典型值低至69毫欧，有效降低了导通损耗。

其栅极电荷（Qg）最大值仅为122nC，结合较低的输入电容，确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，适用于高频开关应用。器件采用HiP247通孔封装，最大功率耗散为318W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至200°C，具备出色的热管理和可靠性。

这些核心参数使其成为追求高效率、高功率密度和高温稳定性的工业电源、新能源逆变器及电动汽车电驱等高端电力电子系统的理想功率开关选择。