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SGT070R70HTO
的报价和技术资料 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商 |
SGT070R70HTO
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
700 V, 53 MOHM TYP., 26 A, E-MOD
原厂封装:
封装:TOLL(HV)
优势价格,SGT070R70HTO的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SGT070R70HTO的技术资料下载
SGT070R70HTO的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
型号:SGT070R70HTO
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TOLL(HV)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:700 V, 53 MOHM TYP., 26 A, E-MOD
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 10A,6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 40mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.5 nC @ 6 V
Vgs(最大值):+7V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):300 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):231W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TOLL(HV)
封装/外壳:8-PowerSFN
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