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SLVU2.8-8A1

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 2.8VWM 15VC 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,SLVU2.8-8A1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SLVU2.8-8A1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SLVU2.8-8A1是ST意法半导体推出的一款专为高速数据线路设计的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列。该器件采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装,集成了8个独立的双向保护通道,为多线对应用提供了高集成度的解决方案。其核心架构基于先进的硅基TVS技术,每个通道均包含一个经过精密调整的齐纳二极管结构,能够在纳秒级时间内响应并箝位过压瞬变,从而将敏感集成电路(IC)与静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其他浪涌事件的破坏性能量隔离开来。

该器件的一个关键特性是其2.8V的典型反向断态电压,这使其非常适合保护工作电压较低的高速数据接口。在承受高达24A(8/20s波形)的峰值脉冲电流冲击时,其箝位电压被严格限制在最大值15V以内,提供了出色的电压限制能力,确保被保护线路的后端芯片始终处于安全电压范围内。其600W的峰值脉冲功率处理能力,使其能够承受严苛的工业或通信环境中的重复性浪涌事件。对于需要可靠供应链和技术支持的设计项目,可以通过ST中国代理获取该产品的完整技术资料、样品及批量供应支持。

在电气参数方面,SLVU2.8-8A1展现出卓越的性能。其双向通道设计使其能够抑制正负两个方向的过压瞬变,简化了电路布局。器件在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作,确保了在极端环境下的可靠性。极低的寄生电容特性(虽未在基础参数中明确列出,但这是该系列产品的典型优势)对于保护以太网等高速数据线路至关重要,因为它能最大限度地减少对信号完整性的影响,避免信号衰减和失真。

基于上述特性,SLVU2.8-8A1的主要应用场景聚焦于需要高水平端口保护的通信和计算设备。它尤其适用于10/100/1000BASE-T以太网接口的物理层(PHY)芯片保护,可部署在RJ-45连接器与PHY芯片之间的差分线对上,有效防护来自电缆的ESD和雷击感应浪涌。此外,它也适用于USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort及其他高速串行数据总线的ESD保护,是提升消费电子、网络设备、工业控制系统端口可靠性和合规性(如IEC 61000-4-2/4/5)的关键元件。

  • 型号:SLVU2.8-8A1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 2.8VWM 15VC 8-SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:8
  • 电压 - 反向断态(典型值):2.8V
  • 电压 - 击穿(最小值):-
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):15V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):24A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:以太网
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取SLVU2.8-8A1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SLVU2.8-8A1是ST意法半导体生产的一款TVS二极管阵列,采用8-SOIC封装,集成了8路双向保护通道。该器件专为保护低压高速数据线路设计,其典型反向断态电压为2.8V,能够在承受24A峰值脉冲电流时,将箝位电压有效限制在15V以下。

其600W的峰值脉冲功率处理能力和宽工作温度范围(-55°C至150°C TJ),确保了在恶劣电气环境下的可靠性和耐用性。该产品主要应用于以太网端口及其他高速数据接口(如USB、HDMI)的ESD和浪涌保护,能有效满足相关电磁兼容性(EMC)标准要求,是提升系统端口鲁棒性的理想选择。

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