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STTH4R02RL

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 200V 4A DO201AB
原厂封装:封装:DO-201AB
优势价格,STTH4R02RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH4R02RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH4R02RL是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款通用型快速恢复整流二极管,采用经典的DO-201AB轴向封装,适用于通孔安装。该器件基于优化的半导体工艺结构,旨在实现高效率与快速开关性能的平衡。其核心设计侧重于降低功率损耗,通过精确控制PN结的掺杂和结电容,实现了在较高工作电流下仍能保持较低的正向压降和极短的反向恢复时间,这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

该二极管具备多项突出的电气特性。其最大反向重复电压达到200V,平均整流输出电流为4A,能够满足中等功率等级应用的需求。关键的性能优势在于其快速恢复特性,反向恢复时间(trr)典型值仅为30ns,这使其在高频开关电路中能有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。在12A的测试条件下,其正向压降(Vf)为1.25V,表明其具有良好的导通特性。同时,在200V反向电压下,反向漏电流低至3A,体现了其优异的阻断能力和高温下的稳定性。

在接口与参数方面,STTH4R02RL提供了标准化的轴向引脚,兼容DO-201AB封装规格,便于在传统PCB板上进行布局和焊接。其电气参数,如快速恢复速度(≤500ns)和稳健的电压/电流额定值,使其能够应对较为严苛的电路环境。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链信息。

这款器件典型的应用场景包括开关模式电源(SMPS)的次级整流、高频逆变器、续流二极管以及各种AC-DC转换器中的整流环节。其快速恢复特性使其特别适用于工作频率在几十kHz范围内的离线式反激、正激等拓扑结构,能有效提升电源的功率密度和转换效率。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护、特定批次生产或对成本敏感且技术成熟的设计中,它依然是一个经受过市场验证的可靠选择。

  • 型号:STTH4R02RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-201AB
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 200V 4A DO201AB
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):4A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 12 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):30 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AB,DO-32,轴向
  • 供应商器件封装:DO-201AB
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH4R02RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH4R02RL是ST意法半导体生产的一款200V、4A通用快速恢复整流二极管。该器件采用DO-201AB轴向封装,核心卖点在于其优异的开关性能与效率平衡。

其反向恢复时间低至30ns,支持高频开关应用,能显著降低开关损耗。在12A电流下正向压降仅为1.25V,确保了较低的导通损耗,同时200V的反向电压额定值与仅3A的反向漏电流提供了可靠的阻断能力。这些参数使其成为开关电源次级整流和续流等应用的理想选择。

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