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SM6T12A的图片

SM6T12A

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC SMB
原厂封装:封装:SMB
优势价格,SM6T12A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SM6T12A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SM6T12A是意法半导体(STMicroelectronics)推出的SM6T系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用先进的硅雪崩技术制造,其核心架构基于一个单向的齐纳二极管结构,专门设计用于在纳秒级时间内响应并吸收高能量的瞬态过电压脉冲。其内部PN结经过优化,能够在极短的时间内从高阻抗状态切换到低阻抗的箝位状态,从而将受保护线路上的电压限制在一个安全的水平,防止后续精密电路因电压尖峰而损坏。

该器件的功能特点突出体现在其优异的箝位性能和强大的浪涌处理能力上。其标称反向关断电压为10.2V,最小击穿电压为11.4V,确保了在正常电路工作电压下的高阻抗和低泄漏电流。当遭遇瞬态浪涌时,它能迅速动作,在通过高达184A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,其箝位电压被严格限制在最大值21.7V以下,提供了非常“紧”的电压保护窗口。其峰值脉冲功率处理能力达到600W,使其能够承受严苛的工业环境或汽车电子中常见的抛负载、感性负载切换等产生的能量冲击。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持和样品。

在接口与参数方面,SM6T12A采用标准的表面贴装DO-214AA(SMB)封装,便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在极端温度环境下的可靠性和稳定性。作为一种单向TVS二极管,它适用于保护直流极性明确的线路,使用时需确保其阴极连接至被保护线路的正电压端。其设计兼顾了低动态电阻和高响应速度,对快速上升的ESD(静电放电)和EFT(电快速瞬变脉冲群)事件同样有效。

基于其通用型的定位和稳健的性能,SM6T12A广泛应用于需要可靠过压保护的各类电子系统中。典型应用场景包括汽车电子控制单元(ECU)的12V电源总线保护、工业自动化设备的I/O端口和通信接口(如RS-232/485)防护、消费电子产品的直流电源输入端口,以及任何使用微控制器、传感器或数据转换器的低压数字电路的浪涌抑制。它为设计工程师提供了一种经济高效、占用空间小的解决方案,以提升系统对瞬态电压事件的免疫力和整体可靠性。

  • 型号:SM6T12A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMB
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC SMB
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):10.2V
  • 电压 - 击穿(最小值):11.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):16.7V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):36A
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AA,SMB
  • 供应商器件封装:SMB
  • 想获取SM6T12A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SM6T12A是ST意法半导体SM6T系列中的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用齐纳技术,专为快速箝制过电压而设计。其核心参数包括10.2V的反向关断电压,以及在高至184A的8/20s峰值脉冲电流冲击下,能将电压箝位在21.7V最大值以内,提供了精确的过压保护阈值。

该器件具备600W的峰值脉冲功率处理能力,采用SMB(DO-214AA)表面贴装封装,工作温度范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为保护12V直流电源总线、通信端口及各类低压数字电路免受浪涌和瞬态电压损坏的通用、高效解决方案。

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