STP5NK100Z

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP5NK100Z是一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET，代表了高压开关应用领域的高性能解决方案。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化的单元设计和外延层技术，在确保高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种设计使得器件在高压下工作时，能够有效管理电场分布，提升雪崩耐量和开关鲁棒性，为系统提供了更高的可靠性裕度。

该器件具备一系列突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达1000V，使其能够从容应对工业电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的电压应力。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在接口与关键参数层面，STP5NK100Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C下可达3.5A，最大功率耗散为125W，为设计提供了充足的功率处理能力。栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力，而栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，增强了驱动电路的容错性。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，STP5NK100Z非常适用于需要高电压处理的开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动控制器以及照明镇流器等应用。对于需要可靠元器件供应的设计团队，可以通过授权的ST代理商获取该产品的技术支持和供应保障，确保项目从设计到量产的顺利进行。

• 型号:STP5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NK100Z是意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，专为高压、高效率的开关应用而设计。其核心卖点在于高达1000V的漏源电压（Vdss）与经过优化的低导通电阻特性，这使其在导通期间的功率损耗显著降低。

该器件在10V栅极驱动下具备良好的开关性能，最大栅极电荷（Qg）仅为59nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。采用TO-220AB封装，支持125W的最大功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性和稳定性。