SMAJ170A-TR

SMAJ170A-TR是ST意法半导体推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用单向齐纳结构设计，为核心电压节点提供可靠的过压保护。该器件基于成熟的半导体工艺，其核心架构旨在快速响应并吸收由静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）或感应负载开关等事件产生的瞬态高压尖峰。当反向电压超过其击穿阈值时，器件会迅速从高阻态切换到低阻态，将过电压钳位在一个安全的水平，从而保护下游敏感的集成电路免受损坏。

该TVS二极管的关键特性在于其精确的电压保护能力。其典型反向关断电压为170V，最小击穿电压为189V，确保了在正常工作电压下的高阻抗和低泄漏电流。在承受标准8/20s雷击浪涌波形或10/1000s脉冲时，其峰值脉冲电流可达6.5A，最大钳位电压被严格限制在353V，展现了出色的浪涌抑制和电压钳位性能。其峰值脉冲功率高达400W，能够有效耗散瞬态能量。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过ST授权代理获取原装正品，确保设计的一致性与长期可靠性。

在接口与参数方面，SMAJ170A-TR采用标准的DO-214AC（SMA）表面贴装封装，便于自动化生产并节省电路板空间。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应工业、汽车及户外设备等严苛环境下的温度变化。作为单向保护器件，它适用于直流或具有明确极性之交流线路的保护方案，安装时需确保其阴极与被保护线路的正压端相连，以实现正确的保护功能。

凭借其通用型的保护能力和稳健的参数设计，该器件广泛应用于各类需要中高压保护的场景。典型应用包括工业控制系统的通信端口（如RS-485）、电源输入端的次级保护、电机驱动电路、以及消费电子和电信设备中易受浪涌冲击的I/O接口。它为设计工程师提供了一种经济高效且占用空间小的解决方案，用于满足IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和IEC 61000-4-5（浪涌）等相关电磁兼容（EMC）标准的防护要求，显著提升终端产品的鲁棒性和市场竞争力。

• 型号:SMAJ170A-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-214AC（SMA）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 170VWM 353VC DO214AC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:170V
• 电压 - 击穿（最小值）:189V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:353V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):6.5A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:400W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-214AC，SMA
• 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）
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SMAJ170A-TR是ST意法半导体TRANSIL系列中的一款表面贴装TVS二极管，专为抑制高压瞬态脉冲而设计。该器件提供单向保护，典型反向关断电压为170V，能够在承受6.5A（8/20s）峰值脉冲电流时，将电压有效钳位在353V以下，其峰值脉冲功率处理能力达到400W。

其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和紧凑的SMA封装，使其成为工业自动化、电源系统和通信设备中保护敏感电路免受浪涌和ESD事件影响的理想选择。该器件参数设计稳健，有助于工程师满足相关的电磁兼容性标准要求。