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SMC30J22A的图片

SMC30J22A

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMC
原厂封装:封装:SMC
优势价格,SMC30J22A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SMC30J22A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SMC30J22A是意法半导体(STMicroelectronics)推出的SMC30J系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构,当电路中出现超过其设计阈值的瞬态过电压(如ESD、EFT或雷击感应浪涌)时,它能迅速从高阻态切换到低阻态,将异常电压钳位在一个安全水平,从而为下游精密电路提供可靠的保护。其设计重点在于实现纳秒级的响应速度与极高的浪涌能量吸收能力之间的平衡。

在功能特性上,该二极管为单向通道器件,其22V的反向断态工作电压(VRWM)使其非常适合用于保护工作电压在24V或以下的直流电源线路与信号线路。24.4V的最小击穿电压(VBR)确保了保护动作的精确启始点。其最突出的性能指标在于强大的浪涌处理能力,在标准的10/1000s浪涌测试波形下,能够承受高达85A的峰值脉冲电流(IPP),并在此条件下将钳位电压(VC)最大值控制在35.5V,对应的峰值脉冲功率(PPP)高达3000W(3kW)。这种高能量吸收特性使其能够应对工业环境中严苛的浪涌冲击。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 175°C)确保了在极端环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理进行采购咨询与库存查询。

该器件采用标准的DO-214AB(SMC)表面贴装封装,具有良好的功率散热能力和自动化生产兼容性。其接口设计简洁,作为两端口器件,易于集成到PCB的电源入口或信号线路上。关键参数如反向漏电流、电容值等均针对通用保护应用进行了优化,力求在提供强劲保护的同时,对正常电路操作的影响降至最低。

基于其通用型设计和高浪涌等级,SMC30J22A广泛应用于需要可靠过压保护的领域。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的24V直流电源总线保护、通信设备(如路由器、交换机)的电源端口防护、汽车电子中的负载突降保护,以及各类消费电子和家电产品的AC-DC电源次级侧保护。它为工程师提供了一种经过验证的、高效的电路保护解决方案,有助于提升终端产品的电磁兼容性(EMC)等级和长期可靠性。

  • 型号:SMC30J22A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):22V
  • 电压 - 击穿(最小值):24.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):35.5V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):85A
  • 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AB,SMC
  • 供应商器件封装:SMC
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SMC30J22A是ST意法半导体SMC30J系列中的一款高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件采用单向齐纳结构,专为保护工作电压约24V的电路而设计,其核心优势在于极高的浪涌能量吸收能力,峰值脉冲功率可达3000W。

该二极管具备22V的反向工作电压,击穿电压最小值为24.4V。在承受标准10/1000s波形、高达85A的峰值脉冲电流冲击时,它能将电压有效钳位在35.5V以下,从而为后级电路提供可靠保护。其采用SMC表面贴装封装,工作结温范围宽达-55°C至175°C,适用于工业控制、通信电源及汽车电子等对可靠性要求严苛的通用过压保护场景。

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