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SMM4F6.0A-TR的图片

SMM4F6.0A-TR

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO222-AA
原厂封装:封装:STmite 平台(DO222-AA)
优势价格,SMM4F6.0A-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SMM4F6.0A-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SMM4F6.0A-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的SMM4F系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用先进的齐纳二极管技术,构建于一个单向通道架构之上,专门设计用于在极短时间内吸收并泄放高能量的瞬态电压尖峰,从而为下游精密电子电路提供可靠的过压保护。其核心工作原理在于,当线路上的反向电压超过其预设的击穿阈值时,器件会迅速从高阻态切换到低阻态,将过电压钳位在一个安全水平。

该TVS二极管具备一系列突出的性能特点。其标称反向关断电压为6V,最小击穿电压为6.65V,这使其非常适合保护工作电压在5V或相近水平的信号线和电源线。在承受高达170A(8/20s波形)的峰值脉冲电流冲击时,其最大钳位电压被严格限制在13.7V,展现出优异的电压抑制能力,能有效防止被保护IC因过压而损坏。其峰值脉冲功率处理能力达到400W,结合紧凑的DO-222AA(SMB)表面贴装封装,在有限的PCB空间内实现了高功率密度保护。此外,其工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保了在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。

在接口与参数方面,该器件为单向保护设计,适用于明确极性(如直流电源)的保护场景。其表面贴装形式便于自动化生产,提升装配效率。用户在选择时,可通过正规的ST授权代理获取完整的技术资料、可靠性报告以及应用支持,确保设计符合原厂规范。关键参数如钳位电压与峰值电流的对应关系、热特性等,是电路保护设计中进行能量分析和布局考量时的核心依据。

凭借其通用型的保护定位和稳健的性能,SMM4F6.0A-TR广泛应用于需要抵御静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及感应负载开关等浪涌事件的领域。典型应用场景包括通信设备(如路由器、交换机)的I/O端口保护、工业控制系统的传感器接口、消费电子产品的直流电源输入端口以及汽车电子中的低压模块防护。它为设计工程师提供了一种高效、经济的解决方案,以提升电子系统的鲁棒性和长期运行寿命。

  • 型号:SMM4F6.0A-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:STmite 平台(DO222-AA)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO222-AA
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):6V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.65V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):13.7V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):170A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:400W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-222AA
  • 供应商器件封装:STmite 平台(DO222-AA)
  • 想获取SMM4F6.0A-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SMM4F6.0A-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装TVS二极管,属于SMM4F系列。该器件采用单向齐纳结构,专为抑制瞬态过电压而设计,其核心特性包括6V的反向关断电压、6.65V的最小击穿电压,以及面对170A峰值脉冲电流时,能将电压有效钳制在13.7V的最大值。

该二极管具备400W的峰值脉冲功率处理能力,采用DO-222AA(SMB)封装,适用于自动化贴装。其宽工作结温范围(-55°C至175°C)确保了在恶劣环境下的可靠性。这些参数使其成为保护5V左右工作电压的通用信号线和电源线、抵御ESD和浪涌冲击的理想选择。

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