STD2N95K5

STD2N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达950V，为离线式开关电源（SMPS）的功率级提供了充裕的电压裕量，增强了系统在浪涌和瞬态过压情况下的可靠性。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至5欧姆（@1A），这直接转化为更低的通态功率损耗，有助于减少发热并提升能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC（@10V），结合105pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动所需的能量更低，能够实现更快的开关速度并简化驱动电路设计，从而降低开关损耗并允许更高的工作频率。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温（Tc）条件下最大功耗为45W，确保了在紧凑空间内的热管理可行性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。驱动电压范围宽泛，栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，而确保完全导通的阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，这为设计者提供了灵活的驱动电平选择。作为ST意法半导体的重要产品，用户可以通过官方授权的ST代理渠道获取技术支持和正品货源。

得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，STD2N95K5非常适合于需要高效功率转换的应用场景。它是构成反激式、正激式等离线开关电源初级侧功率开关的理想选择，广泛应用于AC-DC适配器、LED驱动电源、家用电器辅助电源以及工业控制系统的电源模块中。其稳健的性能使其能够在功率因数校正（PFC）电路等对器件应力要求较高的场合稳定工作，为工程师设计高可靠性、高能效的电源解决方案提供了有力的核心器件支持。

• 型号:STD2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD2N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括950V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。器件具备较低的导通电阻（5Ω @1A, 10V）和极小的栅极电荷（10nC @10V），这共同确保了低传导损耗与高开关效率。高达45W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应 demanding 的应用环境。

综上所述，STD2N95K5凭借其高耐压、低损耗和快速开关特性，为离线式电源转换提供了高效可靠的解决方案。