SMM4F8.5A-TR

SMM4F8.5A-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SMM4F系列TRANSIL瞬态电压抑制（TVS）二极管中的一款关键型号。该器件采用先进的硅半导体工艺制造，其核心是一个基于齐纳击穿原理的单向TVS二极管，专门设计用于在极短时间内吸收并泄放高能量的瞬态过电压脉冲，从而为下游精密电路提供可靠的保护屏障。其结构优化了功率处理能力与响应速度的平衡，确保在纳秒级时间内对电压尖峰做出反应。

该器件具备一系列突出的功能特性。其标称反向关断电压为8.5V，最小击穿电压为9.5V，这使其非常适合保护工作电压在5V或3.3V逻辑电平附近的敏感接口和IC引脚。在承受高达124A（8/20s波形）的峰值脉冲电流冲击时，其箝位电压最大值被严格限制在19.5V，有效防止被保护器件承受过高的过压应力。高达400W的峰值脉冲功率处理能力，使其能够应对严苛的浪涌环境，例如符合IEC 61000-4-5标准测试的雷击感应浪涌。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了在极端环境下的稳定性和可靠性。

在接口与参数方面，SMM4F8.5A-TR采用表面贴装型DO-222AA（SMB）封装，便于自动化生产并节省PCB空间。作为单向TVS二极管，它要求正确识别阳极和阴极以实现对正向或反向瞬态电压的单向箝位保护。其设计针对通用型应用，不专门针对特定电源线路，因此灵活性很高。对于需要采购正品且供货稳定的客户，可以通过官方授权的ST一级代理渠道获取该产品，以确保元器件质量和完整的供应链支持。

基于其稳健的性能参数，SMM4F8.5A-TR广泛应用于需要高效瞬态保护的各类电子系统中。典型应用场景包括通信设备（如以太网端口、RS-232/485接口）、工业自动化控制系统中的I/O端口保护、汽车电子模块（如ECU的传感器输入/输出线）、消费电子产品的直流电源输入端口以及任何使用微处理器、存储器或数据线的场合，用以抵御静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和浪涌（Surge）等干扰，显著提升系统的电磁兼容性（EMC）水平和长期运行可靠性。

• 型号:SMM4F8.5A-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:STmite 平台（DO222-AA）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 8.5VWM 19.5VC DO222-AA
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:8.5V
• 电压 - 击穿（最小值）:9.5V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:19.5V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):124A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:400W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-222AA
• 供应商器件封装:STmite 平台（DO222-AA）
• 想获取SMM4F8.5A-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SMM4F8.5A-TR是ST意法半导体SMM4F系列中的一款表面贴装TVS（瞬态电压抑制）二极管，采用齐纳型单向设计。其核心功能是为工作电压在8.5V以下的电路提供高效的过压保护，通过将瞬态高电压箝位在安全水平（最大值19.5V）来防止敏感元器件受损。

该器件具备强大的浪涌承受能力，可处理高达124A的峰值脉冲电流和400W的峰值脉冲功率，响应速度极快。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）和通用的SMB（DO-222AA）封装，使其成为通信接口、工业控制、汽车电子及消费类产品中应对ESD、EFT和浪涌干扰的可靠解决方案。