SMX1J7.5A-TR

作为ST意法半导体SMXJ, TRANSIL系列中的一员，SMX1J7.5A-TR是一款采用齐纳原理设计的单向瞬态电压抑制（TVS）二极管。该器件采用紧凑的2-UFDFN表面贴装封装，其核心设计旨在为敏感的电子线路提供快速、高效的过压保护。其内部架构经过优化，能够在纳秒级时间内响应瞬态电压尖峰，将过电压箝位至安全水平，从而防止下游电路因静电放电（ESD）、电感负载切换或雷击感应浪涌等事件而损坏。

该器件的关键特性在于其精确的电压保护阈值与强大的浪涌吸收能力。其反向断态电压典型值为7.5V，最小击穿电压为8.3V，这为保护工作电压在5V或3.3V级别的逻辑电路提供了合适的安全裕度。当面临高能瞬态脉冲时，它能将电压箝位在最大值20V，同时可承受高达40A的峰值脉冲电流（8/20s波形）或800W的峰值脉冲功率。这种强大的箝位和吸收能力，使其成为抵御中等强度浪涌事件的可靠选择。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购咨询。

在电气参数方面，SMX1J7.5A-TR展现了宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C结温），确保了其在严苛环境下的可靠性。其单向通道设计意味着它专门用于保护直流电源线或信号线，其中电压极性是确定的。小巧的2-UFDFN封装非常适合高密度PCB布局，有助于节省宝贵的板级空间。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格和性能参数在诸多现有设计中仍具有参考价值。

鉴于其通用型的保护定位和参数特性，该器件适用于多种需要过压保护的场景。典型应用包括保护数据线、电源端口、I/O接口等，常见于消费电子、工业控制模块、通信设备及汽车电子子系统（非安全关键领域）中，用于抑制因外部干扰或内部开关动作引起的电压瞬变，提升整个电子系统的电磁兼容性（EMC）和长期可靠性。

• 型号:SMX1J7.5A-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:2-QFN（1.45x1.0）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 7.5VWM 20VC 2UQFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:7.5V
• 电压 - 击穿（最小值）:8.3V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:20V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):40A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:800W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:2-UFDFN
• 供应商器件封装:2-QFN（1.45x1.0）
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SMX1J7.5A-TR是ST意法半导体推出的一款单向TVS二极管，属于SMXJ, TRANSIL系列。该器件采用2-UFDFN表面贴装封装，核心功能是为低压电路提供高效的瞬态过电压保护。

其技术核心在于7.5V的反向断态电压与20V的最大箝位电压，能够为5V或3.3V系统提供有效的保护窗口。同时，它具备高达40A（8/20s）的峰值脉冲电流处理能力和800W的峰值脉冲功率，确保了其能够吸收并消散显著的瞬态能量，从而可靠地保护下游敏感元器件免受浪涌冲击。