STF10N60DM2

STF10N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代DM2超结技术，通过创新的电荷平衡原理，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而在600V的高压应用中有效提升了功率转换效率并减少了热损耗。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压开关应用中表现卓越。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值为8A，提供了可观的电流处理能力。尤为突出的是，其导通电阻在10V驱动电压、4A电流条件下最大值仅为530毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的工作效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在15nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在接口与封装方面，STF10N60DM2采用标准的TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以管理高达25W（Tc）的功率耗散。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的安全驱动范围。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的中国市场用户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，该器件非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率转换单元。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少体积，并增强长期运行的稳定性。

• 型号:STF10N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF10N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了600V的高漏源电压（Vdss）与低至530毫欧（@10V，4A）的导通电阻，这得益于其MDmesh DM2超结技术，旨在实现高压环境下出色的效率与功率密度。

该器件在25°C壳温下可承受8A的连续漏极电流，最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，有助于降低开关损耗并提升开关频率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和25W的功率耗散能力，确保了其在严苛应用中的可靠性，主要面向高效的开关电源、功率因数校正及工业电源系统。