STP5NK60ZFP

STP5NK60ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与高击穿电压（V_DSS）之间的出色平衡。其内部架构旨在最小化寄生电容，特别是栅极电荷（Q_g）和反向恢复电荷（Q_rr），这对于提升开关频率和降低开关损耗至关重要，使其成为高效功率转换应用的理想选择。

该MOSFET的核心优势体现在其600V的漏源击穿电压和1.6欧姆的低导通电阻（测试条件为V_GS=10V， I_D=2.5A）。高耐压特性确保了其在离线式电源等高压环境中工作的可靠性，而低R_DS(on)则直接转化为更低的导通损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（V_GS）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。此外，34nC的低栅极总电荷（Q_g）显著降低了栅极驱动电路的负担，使得开关速度更快，驱动损耗更小，尤其适合高频开关应用。

在电气参数方面，器件在25°C壳温（T_C）下可连续通过5A的漏极电流，最大功耗为25W。其阈值电压V_GS(th)最大值为4.5V，具备良好的导通特性。输入电容（C_iss）典型值较低，有助于进一步优化开关性能。物理封装采用TO-220FP，这是一种带散热片的通孔安装封装，其“FP”（全塑封）设计意味着引脚与散热片之间是电气隔离的，这简化了散热器安装并提高了系统的安全性，无需额外的绝缘垫片。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。用户可通过ST授权代理获取完整的数据手册、样品及技术支持。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STP5NK60ZFP非常适合应用于需要高效能量管理的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器、电机驱动控制以及不间断电源（UPS）系统中的逆变和转换环节。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和能源效率，是工程师设计高性能、高可靠性功率电子系统的关键元器件之一。

• 型号:STP5NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP5NK60ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和5A的连续漏极电流（I_D），为高压应用提供了坚实的耐压基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通性能与开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为1.6欧姆（@2.5A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大值34nC）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机控制和照明系统等高效功率转换设计的优选器件。