STW48N60M2-4

意法半导体推出的STW48N60M2-4是一款采用先进的MDmesh M2技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-4L四引脚封装，其核心设计旨在优化开关性能与传导损耗的平衡，为高压、高功率应用提供高效的解决方案。其内部架构通过精心设计的单元布局和优化的栅极结构，有效降低了寄生电容和导通电阻，从而在快速开关过程中实现了更低的能量损耗。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和42A的连续漏极电流（Id）能力，展现出强大的功率处理性能。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、21A漏极电流条件下，Rds(on)典型值仅为70毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在70nC，结合优化的内部结构，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STW48N60M2-4的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。该器件采用通孔安装的TO-247-4L封装，额外的引脚有助于实现开尔文源极连接，能够显著减少源极寄生电感对开关速度的影响，进一步提升高频开关性能。用户可通过官方授权的ST代理渠道获取完整的技术支持与供应保障。

凭借其高性能指标，该器件非常适用于对效率和功率密度有严格要求的工业级应用。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主逆变级、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率转换系统。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，减少散热需求，并增强系统的功率密度与长期运行可靠性。

• 型号:STW48N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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STW48N60M2-4是ST意法半导体基于MDmesh M2技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4L封装。该器件设计用于高压、高电流应用，其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和42A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其关键性能优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值70mΩ @ 10V, 21A）与优化的栅极电荷（Qg最大值70nC @ 10V），这共同实现了低传导损耗与低开关损耗的优异平衡。高达150°C的工作结温（TJ）和300W的功率耗散能力，确保了其在工业级应用中的高可靠性与鲁棒性。