STP2N105K5

STP2N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡，其漏源电压（Vdss）高达1050V，使其能够从容应对高压环境下的电压应力。MDmesh K5技术的核心在于其创新的单元结构和加工工艺，有效降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电容，从而在开关性能与传导损耗之间取得了显著改进。

该MOSFET在25°C壳温（Tc）下可提供1.5A的连续漏极电流，其导通电阻在10V驱动电压、750mA电流条件下典型值仅为8欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了在宽泛工作条件下的稳定驱动与良好的抗干扰能力。此外，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）是关键优势，最大栅极电荷仅为10nC @ 10V，输入电容最大为115pF @ 100V，这极大地降低了开关过程中的驱动损耗，允许使用更小、更经济的驱动电路，并支持更高频率的开关操作，这对于提升功率密度至关重要。

在封装与可靠性方面，STP2N105K5采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为60W（Tc）。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品以及完整的设计资源。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，这款器件非常适用于对效率和可靠性有高要求的离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统整体能效，减小磁性元件尺寸，并增强系统在高压瞬态下的鲁棒性。

• 型号:STP2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP2N105K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP2N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高效功率转换，其核心特性包括高达1050V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V驱动下仅8欧姆的低导通电阻（Rds(on)），这确保了其在高压应用中具备出色的耐压能力和较低的传导损耗。

此外，该MOSFET具备优异的动态性能，其最大栅极电荷（Qg）低至10nC，输入电容（Ciss）也处于较低水平，这显著降低了开关损耗，支持更高频率的开关操作。采用TO-220封装，提供1.5A的连续电流能力和60W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为工业级电源和电机控制应用提供了可靠、高效的解决方案。