STE45NK80ZD

作为ST意法半导体SuperFREDmesh系列中的一员，STE45NK80ZD是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于先进的平面工艺和SuperFREDmesh架构，这一架构通过优化的单元设计，在高压条件下实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，从而有效降低了导通损耗和开关损耗。其ISOTOP封装技术将芯片直接焊接在铜基板上，提供了卓越的热性能和机械可靠性，确保功率能够高效地从结温（Tj）传递至外壳。

该MOSFET的核心特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss）和在25°C外壳温度下高达45A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够承受严苛的高压大电流工作环境。其导通电阻在10V驱动电压、22.5A测试条件下最大仅为130毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力和稳定的开启特性。尽管其栅极电荷（Qg）在10V条件下为781nC，输入电容（Ciss）也相对较高，但这与其高压大电流的定位相符，需要匹配适当的栅极驱动电路以实现最优的开关性能。

在电气接口与参数方面，STE45NK80ZD的栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V，为驱动设计提供了灵活性。其最大功率耗散能力在特定外壳温度下可达600W，结合ISOTOP封装的优异散热能力，使其能够在-65°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST代理获取该器件的技术支持和库存信息。需要注意的是，该器件目前处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品或与制造商确认供货情况。

凭借其高压、大电流和低导通电阻的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性要求极高的工业级功率转换应用。典型场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和硬开关拓扑、工业电机驱动和变频器的逆变桥臂，以及电焊机、不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等系统中的功率开关部分。其底座安装（TO-247或类似）封装形式也便于在需要高效散热的功率板上进行布局和热管理。

• 型号:STE45NK80ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:781 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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STE45NK80ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperFREDmesh产品系列。该器件采用ISOTOP封装，核心电气参数为800V漏源电压（Vdss）和45A连续漏极电流（Id），具备高压大电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（130mΩ @ 10V, 22.5A）与器件电容之间的优化平衡，有助于降低功率损耗，提升系统效率。该MOSFET设计用于严苛的工业环境，工作结温范围宽达-65°C至150°C，适用于要求高可靠性的功率开关应用。