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M24C08-WMN6

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C08-WMN6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C08-WMN6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C08-WMN6是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术制造,其核心存储单元阵列组织为1K x 8位结构,提供可靠的字节级和页级数据读写能力。内部集成了地址寄存器、控制逻辑以及高压生成电路,使得在单一电源电压下即可完成对存储单元的编程与擦除操作,无需外部提供高电压,简化了系统设计。

该芯片具备宽电压工作范围(2.5V至5.5V),能够兼容多种逻辑电平系统,增强了设计的灵活性。其支持标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz)的IC总线协议,最高时钟频率可达400kHz,确保了与主控制器之间高效的数据传输。在数据可靠性方面,它提供了超过一百万次的擦写周期以及长达四十年的数据保持期限,满足工业级应用对数据持久性的严苛要求。此外,芯片内置的写保护功能可通过硬件引脚控制,有效防止数据被意外篡改。

在接口与电气参数上,M24C08-WMN6采用两线制IC接口,仅需占用微控制器的两个I/O引脚,极大节省了系统资源。其典型的字节或页写入周期时间为5ms,读取访问时间为900ns。器件工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业标准,确保在恶劣环境下稳定运行。该芯片采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,便于集成到紧凑的PCB布局中。对于需要稳定供应的项目,可以通过正规的ST一级代理进行采购咨询与库存查询。

凭借其非易失性存储特性、简单的两线接口和宽泛的电压适应性,M24C08-WMN6非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或用户设置的各种电子系统。典型应用场景包括工业控制模块、智能电表、家用电器、汽车电子子系统(如车身控制模块)、医疗设备以及通信设备等,为这些产品提供了一种经济高效且可靠的小容量非易失存储解决方案。

  • 型号:M24C08-WMN6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C08-WMN6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C08-WMN6是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器,采用IC接口,最高支持400kHz通信速率。其核心架构为1K x 8位组织,提供可靠的字节与页编程操作。

该器件工作电压范围宽达2.5V至5.5V,兼容性强,并具备工业级工作温度范围(-40°C至85°C)。其特性包括超过100万次的擦写周期、40年数据保持能力以及内置的写保护功能,确保了数据在苛刻环境下的长期安全与稳定。芯片采用8-SOIC表面贴装封装,适用于空间受限的各类嵌入式系统。

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