STE140NF20D

STE140NF20D是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物）结构，旨在提供卓越的功率处理能力和开关效率。其核心设计优化了单元密度与导通电阻（Rds(On)）之间的平衡，使得在高压大电流条件下仍能保持较低的传导损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达200V，确保了在工业级应用中的高可靠性。在25°C壳温（Tc）下，连续漏极电流（Id）额定值可达140A，展现了强大的电流承载能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在70A电流和10V栅极驱动电压下，Rds(On)最大值仅为12毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。栅极电荷（Qg）最大值为338nC @ 10V，结合±20V的最大栅源电压（Vgs）容限，为设计高效的栅极驱动电路提供了灵活性，有助于实现快速开关并降低开关损耗。

在封装与热管理方面，STE140NF20D采用了底座安装的ISOTOP封装。这种封装形式具有良好的机械强度和热性能，其最大功率耗散能力在壳温（Tc）条件下为500W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应苛刻的环境要求。输入电容（Ciss）最大值为11100pF @ 25V，是评估开关动态性能的重要参数。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。

凭借其高电压、大电流和低导通电阻的特性组合，这款器件非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型的应用场景包括大功率开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动与控制电路、不间断电源（UPS）系统以及工业逆变器。在这些应用中，STE140NF20D能够有效提升系统能效，减少散热需求，并增强整体方案的可靠性。

• 型号:STE140NF20D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 70A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:338 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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STE140NF20D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用MOSFET技术，设计用于处理高功率应用，其关键额定参数包括200V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下高达140A的连续漏极电流（Id）。

其核心优势在于优异的导通性能，在70A电流和10V栅极电压下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为12毫欧，这有助于显著降低传导损耗。器件采用ISOTOP封装，支持底座安装，最大功率耗散为500W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行与散热能力。