STB34NM60ND

STB34NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在硅片层面实现了卓越的开关性能与导通损耗的平衡。其核心在于通过精密的单元布局和沟槽栅技术，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时有效控制了寄生电容，这对于高频开关应用中的效率提升至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和29A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流场景提供了坚实的可靠性基础。其导通电阻在10V栅极驱动电压、14.5A漏极电流条件下典型值仅为110毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，器件拥有优化的动态参数，最大栅极电荷（Q_g）为80.4nC，结合2785pF的输入电容，确保了快速、干净的开关转换，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STB34NM60ND采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）下最大功耗可达190W，其结温（T_J）最高支持150°C，保证了在恶劣热环境下的稳定运行。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±25V，而阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，便于与常见的控制器兼容。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以确保产品正宗与供货稳定。

得益于其高压、高效、高可靠性的特点，STB34NM60ND非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、不间断电源（UPS）的逆变和整流模块、电机驱动与变频器中的功率级，以及电焊机和太阳能逆变器等新能源设备。其设计旨在提升系统整体能效，满足现代电子设备对高功率密度和节能环保的持续需求。

• 型号:STB34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB34NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和高达29A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为110毫欧，这直接带来了更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，优化的动态参数，如最大80.4nC的栅极电荷（Qg），有助于实现快速开关并降低开关损耗。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功率耗散为190W，结温高达150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性和散热性能。