STB6N62K3

STB6N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该架构确保了器件在高压环境下稳定工作，同时维持了良好的热性能。

作为SuperMESH3产品家族的一员，STB6N62K3提供了高达620V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和浪涌。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.8A漏极电流条件下典型值仅为1.2欧姆，这一特性直接转化为更低的通态损耗。此外，该器件拥有较低的栅极电荷（Qg，最大值34nC）和输入电容（Ciss），这有助于简化驱动电路设计，并实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，增强了驱动的鲁棒性。

在电气参数方面，该MOSFET在壳温（Tc）条件下可支持5.5A的连续漏极电流，最大功耗为90W。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，这种封装具有良好的功率耗散能力和机械强度，便于在自动化生产线上进行焊接。其结温（Tj）最高可工作至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，STB6N62K3非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。它能够有效提升电源适配器、LED驱动电源和工业控制电源的功率密度与能效水平，是工程师设计高性能功率转换方案的经典选择之一。

• 型号:STB6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB6N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气参数包括620V的漏源电压（Vdss）和5.5A的连续漏极电流（Tc条件下），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆，有助于降低通态损耗。同时，较低的栅极电荷（最大值34nC）有利于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及照明驱动等应用中高效功率开关的理想选择。