STB13NK60ZT4

STB13NK60ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直DMOS结构设计。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化的单元密度和栅极设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而在高压应用中兼顾了低损耗与高开关速度。其内部结构确保了在高温下的稳定性和可靠性，为功率转换系统的核心开关元件提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。它具备600V的高漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中的电压应力和开关尖峰。在导通特性上，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值远低于550毫欧，这意味着在传导过程中产生的通态损耗被有效降低，有助于提升整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为92nC，较低的栅极驱动需求简化了驱动电路设计，并减少了开关过程中的动态损耗，使得器件在较高频率下工作成为可能。

在接口与参数方面，STB13NK60ZT4采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力和功率处理能力，其最大功率耗散可达150W（基于壳温）。器件在25°C壳温下连续漏极电流（Id）额定值为13A，能够承载相当的电流负载。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了宽裕的安全设计余量。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，该器件非常适合应用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等领域。在这些应用中，它能够有效提升能源转换效率，减小系统体积与热设计难度，是工程师实现高性能、高密度功率设计的优选元件之一。

• 型号:STB13NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB13NK60ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的优势地位：600V的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压能力，而13A的连续漏极电流（Id）额定值则支持较高的功率处理水平。

该器件的关键卖点在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值表现出色，有助于降低传导损耗。同时，最大92nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关切换和较低的驱动损耗，这对于提升开关电源的工作频率和整体效率至关重要。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）进一步保障了其在各种环境条件下的可靠性与稳定性。