STE250NS10

STE250NS10是ST意法半导体基于其先进的STripFET技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用底座安装的ISOTOP封装，专为高功率密度和高可靠性应用而设计。其核心架构通过优化单元结构和工艺，在硅片层面实现了极低的导通电阻与栅极电荷的出色平衡，这是其高效能表现的基础。该技术确保了在严苛的开关条件下，器件仍能保持卓越的电气性能和热稳定性。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、125A漏极电流条件下，最大值仅为5.5毫欧。这一特性直接转化为导通状态下极低的功率损耗，显著提升了系统整体效率。同时，其高达220A的连续漏极电流（Tc）承载能力和100V的漏源电压（Vdss）额定值，使其能够从容应对大电流、中高电压的开关任务。尽管栅极电荷（Qg）相对较高，但其栅极阈值电压（Vgs(th)）和最大栅源电压（±20V）的规格为驱动电路设计提供了明确的边界，确保了开关控制的可靠性与鲁棒性。

在接口与关键参数方面，STE250NS10的电气参数定义了其应用边界。其10V的推荐驱动电压可确保器件进入充分导通状态，发挥最低的Rds(on)优势。高达500W（Tc）的功率耗散能力与150°C的最大结温（TJ），结合ISOTOP封装优异的散热特性，为处理高功率脉冲或持续功耗提供了坚实保障。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案或库存情况，专业的ST代理能够提供最新的产品生命周期信息与可行的替代建议。

基于其强大的电流处理能力、较低的导通损耗以及稳健的封装，STE250NS10非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的工业领域。典型的应用场景包括大功率开关电源（如服务器电源、通信电源）的初级或次级侧同步整流、电机驱动与控制模块中的H桥或三相逆变器拓扑、以及不间断电源（UPS）和电焊机等设备中的功率转换部分。在这些应用中，它能够有效降低系统热设计难度，提升功率等级和可靠性。

• 型号:STE250NS10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 125A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:900 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• 想获取STE250NS10的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STE250NS10是ST意法半导体推出的一款采用ISOTOP封装的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其STripFET产品系列。该器件核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗，其连续漏极电流（Tc）高达220A，且在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值极低，这使其在大电流开关应用中能显著减少导通状态下的功率耗散。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为100V，并具备500W（Tc）的强大功率耗散能力，结合其底座安装封装带来的优异散热性能，非常适合用于高功率密度和高可靠性的电源转换与电机驱动场景。需要注意的是，此型号目前已标记为停产状态。